名师简介
姓名:刘艳红 办公室电话:0411－84707865－603 电子邮箱地址:dbd01@dlut.edu.cn 主要学历及工作经历: 1968，9-1990，7 ：西安交通大学电子工程系半导体物理与器件专业 读学士学位 1990，7-1993，9：抚顺国营八二三一厂， 从事三极管的生产 1993，9-1996，7：大连理工大学物理系三束国家重点实验室，读硕士学位， 1996，7-至今 大连理工大学物理系电子科学与技术教研室 工作 2001，3开始在大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室读在职博士，研究方向：介质阻挡放电制备类金刚石膜及其特性的研究，期间先后于2003，7-9及2004，4-6在德国Deggendorf 大学电子工程系短期访问。 2007年7月2日获得博士学位 2006年以来，进入太阳能电池领域的研究 科研工作简历： 主要研究方向：太阳能电池工艺与模拟、等离子体在微加工中的应用。参加的主要研究课题有：射频磁控溅射SiO2/Al2O3复合膜的研究；热丝法制备多晶硅薄膜；介质阻挡放电制备类金刚石膜及其特性的研究；深亚微米MOSFET可靠性物理研究；锗硅合金异质结晶体管大电流工作特性的研究；等离子体制备硬质薄膜及表面纳米特性的表征。2006年开始进入太阳能电池领域的研究。 研究领域（研究课题）: 太阳能电池工艺与模拟、等离子体在微电子加工中的应用， 指导硕、博士生研究方向: 太阳能电池工艺及模拟 出版著作和论文: 1. Y.H. Liua, , , J.L. Zhanga, D.P. Liub, T.C. Maa and G. Benstetterb A triangular section magnetic solenoid filter for removal of macro- and nano-particles from pulsed graphite cathodic vacuum arc plasmas Surface & Coating Technology 200(2005)2243-2248 2. Y.H.Liua, , , J. Lia, D.P. Liub, T.C. Maa and G. Benstetterb Properties and deposition processes of a-C: H films from CH4/Ar dielectric barrier discharge plasmas Surface & Coating Technology 200(2006) 5819-5822 3. 刘艳红等“CH4或CH4+Ar介质阻挡放电制备类金刚石膜及离子能量分析”, 物理学报，2006年3月 1458-1463 4. Liu Yanhong, Zhang Jia-Liang, Ma Teng-Cai, Li Jian, Liu Dong-Ping “Theoretical Analysis of Ion Kinetic Energies and DLC film deposition by CH4+Ar (He) Dielectric Barrier Discharge Plasmas” Chinese Physics, 16 (2007) 2809-2815 5 “C基薄膜电子场发射的一般特性及发射模型” 真空， 2004,1 6 “等离子体加工对器件损伤的两种模式” 半导体技术， 2002 (27) 69-72 7 “MOS表面反型层少子时变效应研究” 大连理工大学学报 2000(40) 661-663 8 “深亚微米MOS器件的物理、结构与工艺” 半导体杂志 2000(25) 35-39 在读硕士、博士人数: 硕士4人 已毕业硕士博士人数: 已毕业硕士研究生4人 以上资料最后修改时间: 2008-6-30