名师简介
个人简介
从事半导体硅材料中缺陷和杂质的应用基础研究,特别是在我国独创的微氮直拉硅单晶中氮、氧性质的研究和开发上,取得了许多优异的创新成果。如首次揭示了新的杂质复合体,发现了新的氧沉淀形态等等,在此研究领域取得一系列的突破,在国际学术界有独特的影响。在国流一流进物上Appl. Phys. Lett.(应用物理通讯)等国内外科学杂志和会议上发表论文80篇,其中SCI,EI检索杂志论文和国际会议论文近40篇,绝大部分论文是第一作者。研究工作活跃在国际学术的前沿,曾在美国等9个国家工作或访问过,美国科学促进会会员等国际协会会员,中国电子学会会术委员会委员。作为第一发明人获得一项国家发明专利,直接应用到生产线取得了重大经济效益
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