林国强

姓名:林国强 办公室电话:4708380-8301 电子邮箱地址:gqlin@dlut.edu.cn 主要学历及工作经历: 学习简历： 2001年9月－2008年2月，大连理工大学材料科学与工程学院，获工学博士学位； 1985年9月－1988年7月，大连理工大学材料科学与工程系，获工学硕士学位； 1981年9月－1985年7月，大连工学院材料科学与工程系，获工学学士学位。 工作简历： 2006年5月－今，大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，教授，博士生导师； 1997年10月－-2006年5月，大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，副教授； 1996年12月－1997年10月，黑龙江电力科学研究院，高级工程师； 1988年9月－1996年12月，黑龙江电力科学研究院，工程师。 主要学术及社会兼职: 中国材料研究学会、机械工程学会、真空学会会员； 《金属学报》、《真空科学与技术》审稿人。 研究领域（研究课题）: 薄膜科学与技术； 等离子体基薄膜制备原理与工艺。 指导硕、博士生研究方向: 1、结构与组元复合的超硬涂层多尺度设计及其沉积工艺，国家高技术研究发展计划（863）项目； 2、脉冲偏压离子镀的工艺基础，国家自然科学基金、国家高技术研究发展计划（863）项目； 3、质子交换膜燃料电池金属双极板镀膜改性，国家高技术研究发展计划（863）项目； 4、绝缘介质功能薄膜的脉冲合成机理及其制备技术。 出版著作和论文: [1]Guoqiang Lin, Zhenfeng Ding, Dong Qi, Chuang Dong*, Lishi Wen .Plasma load characteristics of pulsed-bias arc ion plating.J.Vac.Sci.Technol.,A，Vol.21，No.5，Sep/Oct （2003）1675-1679. [2]Lin Guoqiang,Zhao YH,Guo HM,Wang DZ,Dong C*,Wen, LS. Experiments and theoretical explanation of droplet elimination phenomenon in pulsed-bias arc deposition. J.Vac.Sci.Technol.,A，22 (4): 1218-1222 Jul/Aug 2004. [3]Lin Guoqiang, Bai Xiao, Zhao Yanhui,Dong Chuang*,Wen Lisi. Substrate Temperature Calculation for Pulsed Bias Arc Ion Plating. Surface and coatings technology,194(2005) 325-329. [4]Guoqiang Lin, Zhenfeng Ding, Dong Qi,Dezhen Wang, Younian Wang, Chuang Dong*,Lishi Wen. Fundamental problems in pulsed-bias arc deposition. Acta Metallurgica Sinica (English Letters) Vol.15(1), 2002, p91-03. [5]Zhao Yanhui,Lin Guoqiang*, Dong Chuang,Wen Lisi. Experimental Verification of the Physical Model for Droplet-Particles Cleaning in Pulsed Bias Arc Ion Plating. J.Mater.Sic.Technol., Vol.21 No.3,2005.423-426. [6]Meidong Huang, Guoqiang Lin,Yanhui Zhao, Lishi Wen ,Chuang Dong*.Macro-Particle reduction mechanism in biased arc ion plating of TiN. Surf.Coat.Technol., 176(2003)109-114. [7]Liu chenglong, Lin guoqiang, Yang dazhi, Qi min. In vitro corrosion behavior of multilayered Ti/TiN coating on biomedical AISI 316L stainless steel. Surface and coatings technology200（2006）4011-4016. [8]林国强. 电弧离子镀硬质梯度薄膜技术. 真空科学与技术，2002（3）P224-227. [9]赵彦辉，林国强*, 李晓娜,董闯,闻立时.脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响.金属学报, 2005,Vol41.No.10,p1106-1110. [10]郭慧梅，林国强*，盛明裕，王德真，董闯，闻立时.大颗粒在等离子体鞘层中的受力分析与计算.金属学报，2004年10月，第40卷第10期P1064-1068. 科研成果及所受奖励: 获省部级二等奖1项： 1.辽宁省技术发明奖二等奖，电弧离子镀氮化钛铌超硬薄膜与超硬梯度薄膜，2005年. 获授权国家发明专利2项； 1．用电弧离子镀沉积氮化钛铌硬质薄膜的方法， ZL00108514.X ； 2．用电弧离子镀沉积氮化钛铌超硬质梯度薄膜的方法，ZL00108513.1。 申请国家发明专利3项： 1.脉冲偏压电弧离子镀钛/氮化钛纳米多层超硬薄膜的方法，申请号2004101554896。 2.一种电弧离子镀低温沉积高质量装饰膜的设备和方法，申请号200610045720.5。 3.质子交换膜燃料电池不锈钢双极板离子镀膜改性方法，申请号200710011507.7。 在读硕士、博士人数: 8 已毕业硕士博士人数: 18 以上资料最后修改时间: 2008-6-25