名师简介
姓名:姜雪宁 办公室电话:0411-84708380-8204 电子邮箱地址:xnjiang@dlut.edu.cn 主要学历及工作经历: 1997. 7 青岛大学理工学院化学系，获学士学位； 2002. 7 山东大学晶体材料研究所国家重点实验室，无机非金属材料学专业，获工学博士学位； 2002.7 大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室，副教授 研究领域（研究课题）: 研究课题： 1、新型功能材料的实验方法、制备技术及其微观状态、宏观性能与生长机理研究:目前主要研究对象为用于固态氧化物燃料电池(SOFC)的氧离子导体电解质薄膜材料与新型、高效的电极材料； 2、载能束微流控芯片材料改性研究； 3、纳米电极阵列的制备及其在微流控芯片中的应用研究 承担主要科研项目： 1）一类纳米多层复合氧离子导体电解质薄膜的制备及其电学、力学特性研究，国家自然科学基金项目，2006.1-2008.12, 项目负责人； 2)一类纳米多层复合氧离子导体电解质薄膜的制备及其性能,辽宁省自然科学基金2006.1-2008.12,项目负责人； 3)纯氧离子导体LSGM电解质薄膜微观结构与电学特性研究,辽宁省博士科研启动基金,2003.1-2006.12), 项目负责人； 4）基于微接触印刷与湿化学刻蚀的微流控芯片纳米电极阵列的制备与表征，教育部“春晖计划”资助项目，2006.9-2008.9，项目负责人； 5） 微型化、集成化皮质醇、睾酮专用型芯片分析系统的研制， 大连理工大学-中科院化物所合作探索研究项目，2005.1-2007.12，项目负责人。 指导硕、博士生研究方向: 1、新型功能材料的实验方法、制备技术及其微观状态、宏观性能与生长机理研究: 2、生物芯片材料研究：载能束改性研究与纳米电极阵列的制备及其在微流控芯片中的应用研究 出版著作和论文: 先后发表科研论文20余篇，代表论文如下： 1、X.N.Jiang, D.Xu,Surface morphology and defect formation of the {100} face of ZnCd(SCN)4 crystals investigated by AFM, Journal of Applied Crystallography,Volume 36, (2003) 1448. 2、X.N.Jiang, D.Xu, D.R.Yuan, et al. Atomic force microscopy studies on phase transitions and surface morphology transformation of CMTC crystals, Applied Physics A 74 (2002) 1. 3. X.N. Jiang, et al., Formation of small straight steps among large rough steps on the {110} face of cadmium mercury thiocyanate crystal, Journal of Crystal Growth 233 (2001) 318. 4. X.N. Jiang, et al., Investigation of growth modes of cadmium mercury thiocyanate crystal by atomic force microscopy, Journal of Crystal Growth 233 (2001) 196. 5. X.N. Jiang, et al., Effect of excessive amount of Cd(II) cations on surface morphology of prismatic {110} faces of cadmium mercury thiocyanate crystals, Journal of Crystal Growth 236 (2002)267. 6. X.N. Jiang, et al., Ex situ atomic force microscopy studies of growth mechanisms of cadmium mercury thiocyanate crystals, Journal of Crystal Growth 234 (2002) 480. 7、Lei Jiang, Xuening Jiang,Yao Lu, Zhongpeng Dai, Minhao Xie, Jianhua Qin,Bingcheng Lin,Development of a USB-powered mini-high-voltage power supply for microchip electrophoresis，Electrophoresis,2007，28 8.郝斌魁，姜雪宁，张庆瑜，陈充林， 基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响，真空科学与技术，2006,26,134. 科研成果及所受奖励: 申请专利2项： 1、姜雪宁，张庆瑜，陈充林，“一类氧离子导体电解质薄膜的构造及其脉冲磁控溅射制造方法”，（发明专利，已授权，ZL200410020406.2）； 2、姜雪宁，张庆瑜，陈充林，“一类复合氧离子导体电解质薄膜的快速热处理溶胶凝胶制备方法”，（发明专利，No.200410020456.0）； 在读硕士、博士人数: 在读硕士4人 已毕业硕士博士人数: 已指导硕士2人 以上资料最后修改时间: 2007-8-19