名师简介
姓 名： 李晓娜 性 别： 女 民 族： 汉 职 称： 副教授 职 务： 联 系： 84708380-8302 电子邮箱： lixiaona@dlut.edu.cn 邮 编： 116023 通讯地址： 大连理工大学三束国家重点实验室 主要学历及工作经历： 1990，9 ～ 1994，7 大连理工大学 材料工程系金属材料专业 攻读学士学位 1994，9 ～ 1997，4 大连理工大学 材料工程系金属材料专业 攻读硕士学位 1998，3 ～ 2001，10 大连理工大学 材料工程系材料物理与化学专业 在职攻读博士学位 2002，11 ～2003，11 法国南锡矿业学院 LSG2M实验室 博士后 1997，4 ～ 现在 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 工作 主要学术及社会兼职： 无 研究领域、研究课题： 材料微结构分析，金属硅化物 指导硕、博士生 研究方向： 半导体型金属硅化物的成分设计及结构性能表征 出版著作和论文： 1, Xiaona LI, Huan HE,Shengzhi HAO, Chuang DONG,Thierry CZERWIEC and Henry MICHEL, TEM Investigation of Nitrided Inconel 690 Prepared by Low Temperature Plasma Assisted Processes, Journal of The Korean Physical Society, 2005,46,May,S75-S79, SCI，0.828 2, Xiaona LI, Chuang DONG, Lei XU , High-Quality Semiconductor Carbon-Doped ?-FeSi2 Film Synthesized by MEVVA Ion Implantation, Materials Science Forum, 2005,475-479 ,3803-3806, SCI，0.399 3, Xiaona Li, Dong Nie, Chuang Dong, Lei Xu, Ze Zhang, Structure characterization and photon absorption analysis of carbon-doped b-FeSi2 film， J. Vac. Sci. Technol. A 22(6), Nov/Dec 2004，SCI， 1.399 4, Chuang Dong, Xiaona Li, Dong Nie, Lei Xu, Ze Zhang, High-quality carbon-doped ?-FeSi2 Film Synthesized by ion implantation, Thin Solid Films 461 (2004) 48-56, SCI， 1.569 5，D. Veys, C. Rapin, X. Li, L. Aranda, V. Fournee, J. M. Dubois, Electrochemical behavior of approximant phases in the Al-(Cu)-Fe-Cr system, Journal of Non-Crystalline Solids, 2004, 347, 1-10，SCI, 1.264 5， Li, Xiao-na, Nie, Dong, Dong, Chuang, A comparative study on microstructures of β-FeSi2 and carbon-doped β-Fe(Si,C)2 films by transmission electron microscopy，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B 194 (2002) 47-53 6， 李晓娜,聂冬,董闯, 离子注入合成β－FeSi2薄膜的显微结构，物理学报，51（2002）115-124 7， 李晓娜, 聂冬, 董闯, 徐雷, 张泽, C掺杂对离子注入合成β－FeSi2薄膜的影响，半导体学报，22(2001)1507-1515 8， X. N. Li, D. Nie, Z. M. Liu and C.Dong, Influence of Carbon Doping over the Structure and Optical Absorption of β-FeSi2 Thin Films Synthesized by Ion Implantation, Journal of the Korean Vacuum Society S1, 9 (2000) 146 9， Xiao-Na Li, Chuang Dong and Xing Jin, Microstructure Characterization of Semiconducting b-FeSi2 Thin Films Synthesized by Ion Implantation， Journal of the Korean Vacuum Society 8 S1 (1999) July 17-36 10， X. N. LI, X. JIN, C. DONG, Z. X. GONG, Z. ZHANG, and T.C. MA, Transmission electron microscopic studies of ternary FeNi-silicide layers prepared by metal vapour vacuum arc ion implantation，Thin Solid Film 304(1997)196-200 11， X. N. Li, C. Dong, S. Jin, T. C. Ma, Q. Y. Zhang, Ion beam synthesis of Ni–Fe–Si layer by TEM，Surface and Coatings Technology 103-104 (1998) 231-234 12， 李晓娜，聂冬，董闯, β－FeSi2和β－Fe（C，Si）2薄膜的电子显微及X射线衍射的研究，真空科学与技术学报22 (2002) 349～356 13， 李晓娜，聂冬，董闯, 碳掺杂β－FeSi2薄膜的电子显微学研究，电子显微学报21 (2002) 43～51 14， X. JIN， H. BENDER, X. N. LI, Z. ZHANG, C. DONG, Z. X. GONG, and T.C. MA, Microstructural studies of Fe-silicide films produced by metal vapor vacuum arc ion implantation of Fe into Si substrates，Appl. Surf. Sci. 115（1997）116-123 15， J. XIN, X. N. LI, Z. ZHANG, C. DONG, Z. X. GONG, H. BENDER, and C. T. MA, Ion beam syntheses and microstructure studies of a new FeSi2 phase, J. Appl. Phys. 80（1996）3306 16， 聂冬，李晓娜，董闯，β－FeSi2半导体薄膜与Si基体取向关系的研究， 材料热处理学报23（2002）59-64 17， 胡冰，李晓娜，董闯，姜辛，磁控溅射法合成纳米?-FeSi2/a-Si多层结构，物理学报，2007，56 (12) SCI 18，孙文飞，梅显秀，李晓娜，赵林，马腾才，雷明凯，强流脉冲粒子束辐照对DZ4合金性能的影响，强激光与粒子束，2006，18（12）2082-2086，EI 19，胡冰，李晓娜，王秀敏，董闯，MEVVA离子源制备Fe/Si系薄膜的颗粒污染问题，真空，2006，43（3），21-24 20，赵彦辉，林国强，李晓娜，董闯，闻立时，脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层膜显微硬度的影响，金属学报，2005，41（10）， 1106-1110， SCI，0.366 21, 李谋，李晓娜，林国强，张涛，董闯，闻立时，脉冲偏压电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜的结构与硬度， 材料热处理学报， 2005，26（6）49-52，EI 22, 董闯，李晓娜，王轶农，SHEK.C.H, LAI.J.K, WONG.K.W, 双相钢中?相的初期魏氏体生长，电子显微学报，2004，23（4）412